A spin transistor employing the ferromagnetic semiconductor/semiconductor
heterojunction is disclosed. The ferromagnetic semiconductor layers form
heterojunctions directly on the source and drain of a regular field effect
transistor. Using room temperature ferromagnetic semiconductor materials
such as iron doped titanium oxide, the spin transistor can have improved
spin injection efficiency due to the conductance matching of the
ferromagnetic semiconductor with the semiconductor source and drain. The
spin transistor further comprises writing plates to modify the magnetic
polarization of the ferromagnetic layers to provide memory states. The
spin transistor can be used as a memory cell in a magnetic random access
memory with potentially large memory signal by utilizing the magnetic
moment induced resistivity change.
Показан транзистор закрутки используя сегнетомагнитный гетеропереход semiconductor/semiconductor. Сегнетомагнитный полупроводник наслаивает гетеропереходы формы сразу на источнике и стоке регулярно транзистора влияния поля. Использующ материалы полупроводника температуры комнаты сегнетомагнитные such as окись данная допинг утюгом titanium, транзистор закрутки может улучшить эффективность впрыски закрутки должную к сопрягать електропроводимостьи сегнетомагнитного полупроводника с источником и стоком полупроводника. Транзистор закрутки более дальнейший состоит из плит сочинительства для того чтобы доработать магнитную поляризацию сегнетомагнитных слоев для того чтобы обеспечить положения памяти. Транзистор закрутки можно использовать как ячейкы памяти в магнитный памяти случайного доступа с потенциальн большим сигналом памяти путем использовать магнитным наведенное моментом изменение резистивности.
