The present invention provides compounds represented by formulas 1a and
1b'; and photoresist polymers derived from the same. The present inventors
have found that photoresist polymers derived from compounds of formulas
1a, 1b, or mixtures thereof, having an acid labile protecting group have
excellent durability, etching resistance, reproducibility, adhesiveness
and resolution, and as a result are suitable for lithography processes
using deep ultraviolet light sources such as KrF, ArF, VUV, EUV,
electron-beam, and X-ray, which can be applied to the formation of the
ultrafine pattern of 4G and 16G DRAMs as well as the DRAM below 1G:
##STR1##
where R.sub.1, R.sub.2 and R.sub.3 are those defined herein.
De onderhavige uitvinding verstrekt samenstellingen die door formules 1a en 1b ' worden vertegenwoordigd; en photoresist de polymeren kwamen uit het zelfde voort. De huidige uitvinders hebben geconstateerd dat photoresist de polymeren die uit samenstellingen van formules 1a, 1b, of mengsels daarvan worden afgeleid, hebbend een zure labiele beschermende groep uitstekende duurzaamheid hebben, etsend weerstand, reproduceerbaarheid, kleverigheid en resolutie, en dientengevolge geschikt voor lithografieprocessen die diepe ultraviolette lichtbronnen zoals KrF, ArF, VUV, EUV, elektron-straal, en Röntgenstraal gebruiken zijn, die op de vorming van het ultrafine patroon van 4G en 16G DRAMs evenals DRAM hieronder 1G kunnen worden toegepast: ## STR1 ## waar R.sub.1, R.sub.2 en R.sub.3 hierin bepaald die zijn.
