A growth-selective structure of LED is created by growing first and
patterning an oxidation layer on a substrate, then applying a
lateral-growth technology to form a buffer layer on the oxidation layer
selectively, and an n-GaN layer, an active layer, and a p-GaN layer on the
buffer layer one after another.
Eine Wachstum-vorgewählte Struktur von LED wird verursacht, indem wachsende erste und patterning eine Oxidation Schicht auf einem Substrat und dann wendet eine Seitlichwachstum Technologie an, um eine Pufferschicht auf der Oxidation Schicht und einer n-GaN Schicht, einer aktiven Schicht und einer p-GaN Schicht auf der Pufferschicht selektiv zu bilden nacheinander.
