In an ion implantation method of the present invention, an ion beam
extracted from an ion source is implanted into a wafer by way of a plasma
shower in a transportation section on the upstream side of the wafer. The
plasma shower comprised of an arc chamber and a shower tube is arranged in
a resolving aperture member or in the immediate vicinity of the downstream
side.
En un método de la implantación de ion de la actual invención, una viga de ion extraída de una fuente del ion se implanta en una oblea por una ducha del plasma en una sección del transporte en el lado por aguas arriba de la oblea. La ducha del plasma abarcada de un compartimiento del arco y de un tubo de la ducha se arregla en un miembro de resolución de la abertura o en la vecindad inmediata del lado en sentido descendiente.
