Disclosed are organometallic compounds derived from Groups VIIb, VIII, IX,
and X metals useful as precursors for the formation of metal containing
powders and for the chemical deposition of the metals on substrates,
particularly for the chemical vapor deposition of metal films suitable for
the manufacture of electronic devices. Methods for their use are also
disclosed. The preferred organometallic compounds of the present invention
are of the formula (R.sup.1).sub.m M(PR.sup.2.sub.3).sub.x, where M is a
metal selected from the group consisting of manganese, technetium,
rhenium, iron, cobalt, nickel, ruthenium, rhodium, palladium, osmium
iridium and platinum wherein m is 0, 1, 2, 3 or 4; x is 2, 3, 4 or 5 and
m+x are 2, 3, 4, 5, 6, 7 or 8, m and x selected according to each metals
appropriate valence; each R.sup.1 is independently selected from the group
consisting of hydrogen, deuterium, N.sub.2, H.sub.2, D.sub.2 and a variety
of substituted alkyl groups; each R.sup.2 is independently selected from
the group consisting of lower alkyl, aryl, arylalkyl, and alkyl-Z, aryl-Z
and arylalkyl-Z where Z is selected from the group consisting of oxy,
silyl, siloxy, oxysilyl, siloxy, oxysiloxy, silyalkyl, oxysilylalkyl,
siloxyalkyl, oxysiloxyalkyl, silylalkoxy, silylalkoxy, siloxyalkoxy and
oxysiloxyalkoxy; and wherein when M is cobalt and one group R.sup.1 is
selected to be N.sub.2, then m is 2 and the second group R.sup.1 is
hydrogen or deuterium.
Worden organometallic samenstellingen onthuld die uit Groepen VIIb worden afgeleid, VIII, IX, en de metalen van X nuttig als voorlopers voor de vorming van metaal dat poeder bevat en voor het chemische deposito van de metalen op substraten, in het bijzonder voor het chemische dampdeposito van metaalfilms geschikt voor de vervaardiging van elektronische apparaten. De methodes voor hun gebruik worden ook onthuld. De aangewezen organometallic samenstellingen van de onderhavige uitvinding zijn van de formule (R.sup.1).sub.m M(PR.sup.2.sub.3).sub.x, waar M een metaal dat uit de groep wordt geselecteerd die uit mangaan, technetium, rhenium, ijzer, kobalt, nikkel, ruthenium, rhodium, palladium, osmiumiridium en platina bestaat is waarin m 0..1..2..3 of 4 is; x is 2..3..4 of 5 en m+x is 2..3..4..5..6..7 of 8, m en x dat volgens elke metalen aangewezen valentie wordt geselecteerd; elke R.sup.1 wordt onafhankelijk uit de groep geselecteerd die uit waterstof bestaat, deuterium, N.sub.2, H.sub.2, D.sub.2 en een verscheidenheid van gesubstitueerde alkyl groepen; elke R.sup.2 wordt onafhankelijk geselecteerd siloxy, oxysiloxy, silyalkyl, oxysilylalkyl, siloxyalkyl, oxysiloxyalkyl, silylalkoxy, silylalkoxy, siloxyalkoxy en oxysiloxyalkoxy; en waarin wanneer M kobalt is en één groep R.sup.1 om N.sub.2 wordt geselecteerd te zijn, dan is m 2 en de tweede groep R.sup.1 is waterstof of deuterium.
