A film-thickness measurement apparatus of the present invention includes a
lifter, a support mount, a light-emitting device, and a light-receiving
device. With the center of a wafer staying in alignment with that of the
support mount, the lifter places the wafer onto the surface of the support
mount to determine the center of the wafer. While the wafer is being
rotated about the center of the wafer, the light-emitting device
irradiates the circumferential portion of the wafer with a laser beam,
thereby allowing the position of a notch to be detected depending on
whether or not the laser beam passes through the notch. This makes it
possible to detect the positions of the notch and the center of the wafer
to determine the center axis line of the surface of the wafer, thereby
allowing the coordinates of a given position on the surface of the wafer
to be defined in accordance with the center axis line and the center of
the wafer. The thickness of the thin film on the surface of the wafer at
the predetermined positions can then be determined.
Прибор измерения пленк-tol5iny присытствыющего вымысла вклюает lifter, держатель поддержки, светоиспускающое приспособление, и свет-poluca4 приспособление. С центром вафли оставаясь in alignment with то из держателя поддержки, lifter устанавливает вафлю на поверхность держателя поддержки для того чтобы обусловить центр вафли. Пока вафля вращается о центре вафли, светоиспускающие irradiates приспособления окружная часть вафли с лазерныйа луч, таким образом позволяя положение зазубрины быть обнаруженным в зависимости от ли или не пропуски лазерныйа луч через зазубрину. Это делает его по возможности обнаружить положения зазубрины и центр вафли для того чтобы обусловить разбивочную линию оси поверхности вафли, таким образом позволяя координаты, котор дали положения на поверхности вафли быть определенным в соответствии с разбивочной линией оси и центром вафли. Толщину тонкой пленки на поверхности вафли на предопределенных положениях можно после этого обусловить.
