Electro-optical panel and electronic device

   
   

The present invention provides an electro-optical panel that is capable of effectively exhibiting the features of the construction in which two transistor elements are used per pixel, and an electronic device using the electro-optical panel. A pixel includes a P-channel thin-film transitor (TFT) in which the gate electrode is connected to a scanning line, and an N-channel TFT in which the gate electrode is connected to a scanning line. When the P-channel TFT and the N-channel TFT are turned on, the voltage of an image signal supplied to a data line is written into a holding capacitor HC and a holding capacitor LC. The holding capacitor HC is connected to the drain electrode of the N-channel TFT. Also, the holding capacitor HC is connected to the drain electrode of the P-channel TFT via a wiring line L. Since the wiring line L is formed of a low-resistance material, the time constant when the image signal is written into the holding capacitor HC via the P-channel TFT can be decreased.

A invenção atual fornece um painel electro-optical que seja capaz eficazmente de exibir as características da construção em que dois elementos do transistor são usados por o pixel, e de um dispositivo eletrônico usando o painel electro-optical. Um pixel inclui um transitor thin-film da P-canaleta (TFT) em que o elétrodo de porta é conectado a uma linha de exploração, e uma N-canaleta TFT em que o elétrodo de porta é conectado a uma linha de exploração. Quando a P-canaleta TFT e a N-canaleta TFT são giradas sobre, a tensão de um sinal da imagem forneceu a uma linha de dados está escrita em um capacitor prendendo HC e em um capacitor prendendo LC. O capacitor prendendo HC é conectado ao elétrodo do dreno da N-canaleta TFT. Também, o capacitor prendendo HC é conectado ao elétrodo do dreno da P-canaleta TFT através de uma linha L da fiação. Desde que a linha L da fiação é dada forma de um material da baixo-resistência, a constante do tempo quando o sinal da imagem é escrito no capacitor prendendo HC através da P-canaleta TFT pode ser diminuída.

 
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