Switching times of a thyristor-based semiconductor device are improved by
enhancing carrier drainage from a buried thyristor-emitter region.
According to an example embodiment of the present invention, a conductive
contact extends to a doped well region buried in a substrate and is
adapted to drain carriers therefrom. The device includes a thyristor body
having at least one doped emitter region buried in the doped well region.
A conductive thyristor control port is adapted to capacitively couple to
the thyristor body and to control current flow therein. With this
approach, the thyristor can be rapidly switched between resistance states,
which has been found to be particularly useful in high-speed data latching
implementations including but not limited to memory cell applications.
Los tiempos de la conmutación de un dispositivo de semiconductor tiristor-basado son mejorados realzando drenaje del portador de una región enterrada del tiristor-emisor. Según una encarnación del ejemplo de la actual invención, un contacto conductor extiende a una región bien dopada enterrada en un substrato y se adapta a los portadores del dren therefrom. El dispositivo incluye un cuerpo del tiristor que tiene por lo menos una región dopada del emisor enterrada en la región bien dopada. Un puerto conductor del control del tiristor se adapta capacitively a los pares al cuerpo del tiristor y al flujo actual del control en esto. Con este acercamiento, el tiristor se puede cambiar rápidamente entre los estados de la resistencia, que se ha encontrado para ser particularmente útil en las puestas en práctica que trababan de los datos de alta velocidad que incluían pero no se ha limitado a los usos de la célula de memoria.
