A method of growing a nitride semiconductor crystal which has very few
crystal defects and can be used as a substrate is disclosed. This
invention includes the step of forming a first selective growth mask on a
support member including a dissimilar substrate having a major surface and
made of a material different from a nitride semiconductor, the first
selective growth mask having a plurality of first windows for selectively
exposing the upper surface of the support member, and the step of growing
nitride semiconductor portions from the upper surface, of the support
member, which is exposed from the windows, by using a gaseous Group 3
element source and a gaseous nitrogen source, until the nitride
semiconductor portions grown in the adjacent windows combine with each
other on the upper surface of the selective growth mask.
Показан метод расти кристалл полупроводника нитрида имеет очень немногие дефекты кристалла и может быть использован как субстрат. Этот вымысел вклюает шаг формировать первую селективную маску роста на члене поддержки включая несходный субстрат имея главную поверхность и сделанный материала отличающийся от полупроводник нитрида, первая селективная маска роста имея множественность первых окон для селективно подвергать действию верхняя поверхность члена поддержки, и шаг частей полупроводника нитрида от верхней поверхности, члена поддержки, который подвергается действию от окон, путем использование газообразного источника элемента группы 3 и источника газообразного азота, до тех пор пока части полупроводника нитрида, котор выросли в смежных окнах не совместить с собой на верхней поверхности селективной маски роста.
