A high frequency filter having steep skirt characteristics using a sapphire
R-plane substrate. The filter comprises a substrate having first and
second faces. The first face is a sapphire R-plane. A grounded conductive
layer is formed on the second face of the substrate. A pair of
input/output terminals is formed on the first face. In embodiments,
hairpin-shaped resonating portions are formed between the pair of
input/output terminals. Each of the resonating portions has at least one
long side. Each long side of the resonating portions makes an angle of
.psi. with <11-20> direction of a sapphire substrate. The angle
.psi. satisfies relations 0.degree..ltoreq..psi..ltoreq.30.degree.. In
embodiments, the resonating portions are asymetric, J-shaped, or
rectangular with an opening.
Een hoge frequentiefilter die steile rokkenmerken heeft die saffier een r-Vliegtuig substraat gebruiken. De filter bestaat uit een substraat eerst en uit tweede gezichten die hebben. Het eerste gezicht is een saffier r-Vliegtuig. Een aan de grond gezete geleidende laag wordt gevormd op het tweede gezicht van het substraat. Een paar input/outputterminals wordt gevormd op het eerste gezicht. In belichamingen, worden de haarspeld-vormige resonerende gedeelten gevormd tussen het paar input/outputterminals. Elk van de resonerende gedeelten heeft minstens één lange kant. Elke lange partij van de resonerende gedeelten maakt een hoek van psi. met richting van een saffiersubstraat. De hoek psi. tevredenstelt relaties 0.degree..ltoreq..psi..ltoreq.30.degree.. In belichamingen, zijn de resonerende gedeelten asymetric, j-Vormig, of rechthoekig met het openen.
