Design techniques are describes in which a telephone interface circuit or
DAA can be realized using two silicon integrated circuits which include
integrated opto couplers. The LED is formed on the chips using
technologies which can be easily integrated onto a silicon integrated
circuit such as porous silicon, avalanching PN junction, forward biased PN
junction, deposited silicon carbide PN junction, deposited organic LED
material such as conjugated polymers, or deposited GaAs LEDs. The light
detector is realized using either a PN junction based detector or a
Schottky diode detector depending on the wavelength of the light
transmitted by the LED. The two integrated circuits can be placed in a
single package with suitable optical links within the package. This
technology thus eliminates the need for discrete opto couplers and
transformers.
As técnicas de projeto são descrevem em qual um circuito de relação do telefone ou um DAA podem ser realizados usando dois circuitos integrados do silicone que incluem acopladores integrados do opto. O diodo emissor de luz é dado forma nas microplaquetas usando as tecnologias que podem fàcilmente ser integradas em um circuito integrado do silicone tal como o silicone poroso, a junção avalanching do PN, a junção polarizada do PN, a junção depositada do PN do carbide do silicone, o material orgânico depositado do diodo emissor de luz tal como polímeros conjugated, ou diodos emissores de luz depositados do GaAs. O detetor claro é realizado usando um detetor baseado junção do PN ou um detetor do diodo de Schottky dependendo do wavelength da luz transmitida pelo diodo emissor de luz. Os dois circuitos integrados podem ser colocados em um único pacote com ligações óticas apropriadas dentro do pacote. Esta tecnologia elimina assim a necessidade para acopladores e transformadores discretos do opto.
