Backgate-characteristics determination method and device that make for
curtailing the fabrication of semiconductor circuit elements having
defective backgate-characteristics. Initially a first C-V curve 30
representing the relation between a voltage applied to the obverse face of
a wafer 20 serving as a substrate for semiconductor circuit elements, and
its capacitance, is found. Next, a second C-V curve 32 is found through
applying a voltage to the reverse face of the wafer 20. The backgate
characteristics for the semiconductor circuit elements are determined
based on a voltage-shift amount 34 for the wafer 20, found from the first
C-V curve 30 and the second C-V curve 32.
método y dispositivo de la determinación de las Backgate-caracteri'sticas que hacen para acortar la fabricación de los elementos de circuito de semiconductor que tienen backgate-caracteri'sticas defectuosas. Inicialmente una primera curva 30 del C-V que representa la relación entre un voltaje aplicado a la cara obverse de una porción de la oblea 20 como substrato para los elementos de circuito de semiconductor, y su capacitancia, se encuentra. Después, una segunda curva 32 del C-V se encuentra con la aplicación de un voltaje a la cara reversa de la oblea 20. Las características del backgate para los elementos de circuito de semiconductor se determinan basaron en voltaje-cambian de puesto la cantidad 34 para la oblea 20, encontraron de la primera curva 30 del C-V y de la segunda curva 32 del C-V.
