A data storage device that includes an array of resistive memory cells. The
resistive memory cells may include a magnetic tunnel junction (MTJ) and a
thin-film diode. The device may include a circuit that is electrically
connected to the array and that is also capable of monitoring a signal
current flowing through a selected memory cell. Once the signal current
has been monitored, the circuit is capable of comparing the signal current
to an average reference current in order to determine which of a first
resistance state and a second resistance state the selected memory cell is
in. Also, a method for operating the data storage device.
Un dispositivo de almacenaje de datos que incluye un arsenal de células de memoria resistentes. Las células de memoria resistentes pueden incluir una ensambladura magnética del túnel (MTJ) y un diodo thin-film. El dispositivo puede incluir un circuito que esté conectado eléctricamente con el arsenal y que sea también capaz de supervisar una corriente de la señal que atraviesa una célula de memoria seleccionada. Una vez que se haya supervisado la corriente de la señal, el circuito es capaz de comparar la corriente de la señal a una corriente media de la referencia para determinarse cuál de un primer estado de la resistencia y de una segunda resistencia indica que la célula de memoria seleccionada está en. También, un método para funcionar el dispositivo de almacenaje de datos.
