A method of forming a metal seed layer, preferably a copper layer, for
subsequent electrochemical deposition. The metal seed layer is formed by
the oxidation-reduction reaction of a metal salt with a reducing agent
present in a layer on the substrate to be plated. Metal interconnects for
semiconductor devices may be produced by the method, which has the
advantage of forming the metal seed layer by a simple electrochemical
plating process that may be combined with the plating of the interconnect
itself as a single-bath operation.
Метод формировать слой семени металла, предпочтительн медный слой, для затем электрохимического низложения. Слой семени металла сформирован реакцией оксидоредукции соли металла с разбавителем присытствыющим в слое на субстрате, котор нужно покрыть. Металл соединяет для прибора на полупроводниках может быть произведен методом, который имеет преимущество формировать слой семени металла просто электрохимическим процессом плакировкой который может быть совмещен с плакировкой самей interconnect как деятельность одиночн-vanny.