A memory circuit includes a memory structure having sets of redundant
columns where each set of redundant columns can replace a column of the
memory array that may include a defective cell. Selection of the redundant
columns for a memory access is accomplished by performing an address
comparison between the address provided to the memory and one or more
predetermined values that indicate which portion of the data array each
set of redundant columns replaces. Based on this address comparison, a
column redundancy select signal is asserted when a set of redundant
columns is selected. For a read operation, the column redundancy select
signal propagates through redundant column logic select the appropriate
data from a particular set of redundant columns. This redundant data that
is selected is substituted for data stored in the memory array for the
read operation. A de-select feedback signal is generated based on the
column redundancy select signal The de-select feedback signal is self
resetting by causing the column redundancy select signal to be de-asserted
after a time period adequate for the memory operation to complete.
Un circuit de mémoire inclut une structure de mémoire ayant des ensembles de colonnes superflues où chaque ensemble de colonnes superflues peut remplacer une colonne de la rangée de mémoire qui peut inclure une cellule défectueuse. Le choix des colonnes superflues pour un accès mémoire est accompli en effectuant une comparaison d'adresse entre l'adresse fournie à la mémoire et une ou plusieurs valeurs prédéterminées qui indiquent quelle partie de la rangée de données chaque ensemble de colonnes superflues remplace. Basé sur cette comparaison d'adresse, un signal choisi de redondance de colonne est affirmé quand un ensemble de colonnes superflues est choisi. Pour une opération "lecture", les propagations choisies de signal de redondance de colonne par la logique superflue de colonne choisissent les données appropriées à partir d'un ensemble particulier de colonnes superflues. Ces données superflues qui sont choisies sont substituées aux données stockées dans la rangée de mémoire pour l'opération "lecture". Un signal de retour de de-select est produit a basé sur le signal choisi de redondance de colonne que le signal de retour de de-select est art de l'auto-portrait remettant à zéro en causant à la redondance de colonne le signal choisi De-pour être affirmé après une période de temps proportionnée pour l'opération de mémoire pour accomplir.
