A method for integrating low-K materials in semiconductor fabrication. The
process begins by providing a semiconductor structure having a dielectric
layer thereover, wherein the dielectric layer comprising an organic low-K
material. The dielectric layer is patterned to form pillar openings. A
pillar layer is deposited over the semiconductor structure; thereby
filling the pillar openings with the pillar layer. The pillar layer is
planarized to form pillars embedded in said dielectric layer. The pillar
layer comprises a material having good thermal stability, good structural
strength, and good bondability of spin coating back-end materials,
improving the manufacturability of organic, low-K dielectrics in
semiconductor fabrication. In one embodiment, the pillars are formed prior
to forming dual damascene interlayer contacts. In another embodiment,
pillars are formed simultaneously with interlayer contacts.
Une méthode pour intégrer de bas-K matériaux dans la fabrication de semi-conducteur. Le processus commence en fournissant une structure de semi-conducteur ayant un thereover diélectrique de couche, où la couche diélectrique comportant un bas-K matériel organique. La couche diélectrique est modelée pour former des ouvertures de pilier. Une couche de pilier est déposée au-dessus de la structure de semi-conducteur ; remplissant de ce fait pilier les ouvertures de pilier posent. La couche de pilier est planarized pour former des piliers incorporés dans ladite couche diélectrique. La couche de pilier comporte un matériel ayant la bonne stabilité thermique, la bonne résistance de la structure, et le bon bondability de la rotation enduisant les matériaux principaux, améliorant le manufacturability des diélectriques organiques et bas-K dans la fabrication de semi-conducteur. Dans une incorporation, les piliers sont formés avant de former les contacts damascènes duels de couche intercalaire. Dans une autre incorporation, des piliers sont formés simultanément avec des contacts de couche intercalaire.
