A nondestructive inspection device (or method) is basically configured such
that a laser beam (1300 nm) is irradiated on a surface (or back) of a
semiconductor device chip to scan. Due to irradiation of the laser beam, a
defect position is heated to cause a thermoelectromotive current, which
induces a magnetic field. A magnetic field detector such as SQUID detects
a strength of the magnetic field, based on which a scan magnetic field
image is produced. A display device superimposes the scan magnetic field
image on a scan laser microphotograph on a screen, so it is possible to
perform defect inspection on the semiconductor device chip. Incidentally,
a semiconductor device wafer is constructed to include a
thermoelectromotive force generator and its wires, which are electrically
connected to first-layer wires. By irradiation of the laser beam on the
thermoelectromotive force generator, it is possible to detect a
short-circuit defect, which lies between the first-layer wires. Further,
it is possible to perform nondestructive inspection on a semiconductor
integrated circuit, which is in an intermediate stage of manufacture
before formation of bonding pads and which includes a closed circuit
configured by a first-layer wire, including a thermoelectromotive force
generating defect, a circuit via and an inspection via as well as a metal
film, which is formed in a relatively broad range of a surface area and is
used to form a second-layer wire.
Недеструктивное приспособление осмотра (или метод) основно установлены таким что лазерныйа луч (nm 1300) облучен на поверхности (или задне) обломока прибора на полупроводниках для того чтобы просмотреть. Должно к облучению лазерныйа луч, положение дефекта нагрето для того чтобы причинить thermoelectromotive течение, которое наводит магнитное поле. Детектор магнитного поля such as КАЛЬМАР обнаруживает основанную прочность магнитного поля, на котором произведено изображение магнитного поля развертки. Дисплейное устройство перекрывает изображение магнитного поля развертки на микрофоте лазера развертки на экране, поэтому по возможности выполнить осмотр дефекта на обломоке прибора на полупроводниках. Incidentally, вафля прибора на полупроводниках построена для того чтобы включить thermoelectromotive генератор усилия и свои проводы, который электрически соединены к проводам перв-slo4. облучением лазерныйа луч на thermoelectromotive генераторе усилия, по возможности обнаружить дефект short-circuit, который лежит между проводами перв-slo4. Более потом, по возможности выполнить недеструктивный осмотр на цепи полупроводника интегрированной, которая находятся в промежуточном этапе изготовления перед образованием пусковых площадок bonding и которая вклюает закрытую цепь установленную проводом перв-slo4, включая thermoelectromotive усилие производя дефект, цепь через и осмотр через также,как пленку металла, которая сформирована в относительно обширном ряде поверхностной области и использована для того чтобы сформировать провод втор-slo4.
