The invention includes SOI thin film transistor constructions, memory
devices, computer systems, and methods of forming various structures,
devices and systems. The structures typically comprise a thin crystalline
layer of silicon/germanium formed over a wide range of suitable
substrates. The crystalline properties of the silicon/germanium can be
controlled during formation of the silicon/germanium so that the material
has a relaxed crystalline lattice and large crystalline grain sizes. The
crystalline grain sizes can be sufficiently large so that transistor
devices formed in association with the thin crystalline material have
active regions utilizing only a single grain of the silicon/germanium
material. The silicon/germanium material having a relaxed crystalline
lattice can be utilized alone in forming channel regions of transistor
devices, or alternatively a semiconductor material having a strained
crystalline lattice can be provided between the relaxed crystalline
lattice and gates of the transistor devices.
Die Erfindung schließt SOI Dünnfilm-Transistoraufbauten, größtintegrierte Speicherbauelemente, Computersysteme und Methoden der Formung der verschiedenen Strukturen, der Vorrichtungen und der Systeme ein. Die Strukturen enthalten gewöhnlich eine dünne kristallene Schicht von silicon/germanium, das über einer breiten Strecke der verwendbaren Substrate gebildet wird. Die kristallenen Eigenschaften des silicon/germanium können während der Anordnung des silicon/germanium kontrolliert sein, damit das Material ein entspanntes kristallenes Gitter und große kristallene Korngrößen hat. Die kristallenen Korngrößen können genug groß sein, damit die Transistorvorrichtungen, die in Verbindung mit dem dünnen kristallenen Material gebildet werden, aktive Regionen haben, nur ein einzelnes Korn des silicon/germanium Materials zu verwenden. Das silicon/germanium Material, das ein entspanntes kristallenes Gitter hat, kann alleine verwendet werden, wenn man Führung Regionen der Transistorvorrichtungen bildet, oder wechselweise kann ein Halbleitermaterial, das ein belastetes kristallenes Gitter hat, zwischen dem entspannten kristallenen Gitter und den Gattern der Transistorvorrichtungen zur Verfügung gestellt werden.
