An object of the present invention is to provide an EL display device
having a high operation performance and reliability.
The switching TFT 201 formed within a pixel has a multi-gate structure,
which is a structure which imposes an importance on reduction of OFF
current value. Further, the current control TFT 202 has a channel width
wider than that of the switching TFT to make a structure appropriate for
flowing electric current. Morever, the LDD region 33 of the current
control TFT 202 is formed so as to overlap a portion of the gate electrode
35 to make a structure which imposes importance on prevention of hot
carrier injection and reduction of OFF current value.
Um objeto da invenção atual é fornecer um dispositivo de exposição do EL que tem um desempenho e uma confiabilidade elevados da operação. O switching TFT 201 dado forma dentro de um pixel tem uma estrutura da multi-porta, que seja uma estrutura que imponha uma importância na redução FORA do valor atual. Mais mais, o controle atual TFT 202 tem uma largura da canaleta mais largamente do que aquela do switching TFT para fazer uma estrutura apropriada para a corrente elétrica fluindo. Morever, a região 33 de LDD do controle atual TFT 202 é dado forma para sobrepôr uma parcela do elétrodo de porta 35 para fazer uma estrutura que imponha a importância na prevenção da injeção de portador e da redução quentes FORA do valor atual.
