In a semiconductor laser device provided with a semiconductor laser element
for outputting a laser beam having a plurality of oscillation longitudinal
modes at a stimulated Brillouin scattering threshold or less, a submount
formed by diamond and set between the semiconductor laser element and a
carrier each configured to enable a highly efficient transfer of heat
between the semiconductor laser device components.
In laser a semiconduttore un dispositivo ha fornito un elemento del laser a semiconduttore per la produzione del fascio laser che ha una pluralità di modi longitudinali di oscillazione ad un Brillouin stimolato che sparge la soglia o di meno, un submount ha formato dal diamante e dall'insieme fra l'elemento del laser a semiconduttore e un elemento portante ciascuno configurato per permettere un trasferimento altamente efficiente di calore fra i componenti del dispositivo del laser a semiconduttore.