The intensity of the light emitted from the light-emitting diode on wafer
is measured and then the potential difference between the terminals of the
light-emitting element, and the plasma current flowing thereinto are
derived from measured light intensity. Since the use of a camera enables
non-contact measurement of emitted light intensity, the lead-in terminals
for lead wires that are always required in conventional probing methods
become unnecessary. In addition, since the target wafer does not require
lead wire connection, wafers can be changed in the same way as performed
for etching.
L'intensità della luce emessa dal diodo luminescente sulla cialda è misurata ed allora la differenza potenziale fra i terminali dell'elemento luminescente ed il thereinto fluente corrente del plasma è derivato da intensità della luce della luce misurata. Poiché l'uso di una macchina fotografica permette la misura senza contatto di intensità della luce della luce emessa, i terminali d'ingresso per i legare del cavo che sono richiesti sempre nei metodi di sondaggio convenzionali diventano inutili. In più, poiché la cialda dell'obiettivo non richiede il collegamento del legare del cavo, le cialde possono essere cambiate come effettuato per acquaforte.
