The invention is a storage cell capacitor and a method for forming the
storage cell capacitor having a storage node electrode having a barrier
layer interposed between a conductive plug and an oxidation resistant
layer. A thick insulative layer protects the sidewalls of the barrier
layer during the deposition and anneal of a dielectric layer having a high
dielectric constant. The method comprises forming the conductive plug in a
thick layer of insulative material such as oxide or oxide/nitride. The
conductive plug is recessed from a planarized top surface of the thick
insulative layer. The barrier layer is then formed in the recess. The
process is continued with a formation of a second insulative layer, a
potion of which is removed to form an opening exposing a portion of the
barrier layer. An oxidation resistant conductive layer is deposited in the
recess and forms at least a portion the storage node electrode of the
capacitor. Next a dielectric layer having a high dielectric constant is
formed to overly the storage node electrode and a cell plate electrode is
fabricated to overly the dielectric layer.
Die Erfindung ist ein Speicherzelle Kondensator und eine Methode für die Formung des Speicherzelle Kondensators, der eine Speichernullpunktelektrode hat, eine Grenzschicht zu haben, die zwischen einem leitenden Stecker und einer Oxidation beständigen Schicht vermittelt wird. Eine starke insulative Schicht schützt die Seitenwände der Grenzschicht während der Absetzung und tempert von einer dielektrischen Schicht, die eine hohe Dielektrizitätskonstante hat. Die Methode enthält die Formung das leitende anschließen eine starke Schicht insulative Material wie Oxid oder oxide/nitride. Der leitende Stecker wird von a planarized Oberfläche der starken insulative Schicht vertieft. Die Grenzschicht wird dann in der Aussparung gebildet. Der Prozeß wird mit einer Anordnung einer zweiten insulative Schicht fortgesetzt, dessen Trank entfernt wird, um eine Öffnung zu bilden, die einen Teil der Grenzschicht herausstellt. Eine Oxidation beständige leitende Schicht wird in der Aussparung und in den Formen mindestens ein Teil die Speichernullpunktelektrode des Kondensators niedergelegt. Zunächst wird eine dielektrische Schicht, die eine hohe Dielektrizitätskonstante hat, übermäßig zur Speichernullpunktelektrode gebildet und eine Zelle Platte Elektrode wird übermäßig zur dielektrischen Schicht fabriziert.
