A method and apparatus of hermetically passivating a semiconductor device
includes sealing a lid directly onto a semiconductor substrate. An active
device is formed on the surface of the substrate and is surrounded by a
substantially planar lid sealing region, which in turn is surrounded by
bonding pads. A first layer of solderable material is formed on the lid
sealing region. A lid is provided which has a second layer of solderable
material in a configuration corresponding to the first layer. A solder is
provided between the first layer and second layer of solderable materials.
In the preferred embodiment, the solder is formed over the second layer.
Heat is provided to hermetically join the lid to the semiconductor device
without requiring a conventional package. Preferably the first and second
layers are sandwiches of conventionally known solderable materials which
can be processed using conventional semiconductor techniques. An angle
between the lid and the semiconductor device can be controlled by
adjusting relative widths of one or both the layers of solderable
materials.
Eine Methode und ein Apparat von ein Halbleiterelement hermetisch passivieren schließt das Versiegeln einer Kappe direkt auf ein Halbleitersubstrat ein. Eine aktive Vorrichtung wird auf der Oberfläche des Substrates gebildet und wird durch eine im wesentlichen planare Kappe Dichtung Region umgeben, die der Reihe nach durch Abbindenauflagen umgeben wird. Eine erste Schicht solderable Material wird auf der Kappe Dichtung Region gebildet. Eine Kappe wird zur Verfügung gestellt, die eine zweite Schicht solderable Material in einer Konfiguration hat, die der ersten Schicht entspricht. Ein Lötmittel wird zwischen der ersten Schicht und zweiter Schicht solderable Materialien zur Verfügung gestellt. In der bevorzugten Verkörperung ist das Lötmittel gebildeter Überschuß die zweite Schicht. Hitze wird zur Verfügung gestellt, um die Kappe zum Halbleiterelement hermetisch zu verbinden, ohne ein herkömmliches Paket zu erfordern. Vorzugsweise sind die ersten und zweiten Schichten Sandwiche der herkömmlich bekannten solderable Materialien, die mit herkömmlichen Halbleitertechniken verarbeitet werden können. Ein Winkel zwischen der Kappe und dem Halbleiterelement kann gesteuert werden, indem man relative Breiten der einer oder beider Schichten der solderable Materialien justiert.
