Stabilizing and reducing noise apparatus and methods in MRAM sensing operations

   
   

MRAM noise stabilizing and reducing apparatus and methods for MRAM sensing operations injects noise generated by activation of a word line (80, 82, 84, 86) into a sense line (128) and a reference line (130). Sense strings (20, 22, 24, 26) addressed by the word line (80, 82, 84, 86) are alternately coupled to the sense line (128) and the reference line (130). Cross coupling reduces the noise injected on the sense lines (128, 130). Cross coupling also balances the noise created by activation of the word line (80, 82, 84, 86) between the sense line (128) and reference line (130). A sense string (20, 22, 24, 26) not addressed by the word line (80, 82, 84, 86) provides a reference signal. A differential amplifier (132) includes circuitry to compare and store a difference between the sense line (128) and the reference line (130). The stored value can be further compared to a second value obtained by reversing the current on the word line (80, 82, 84, 86).

Шум MRAM стабилизируя и уменьшая прибор и методы для MRAM воспринимая деятельности впрыскивает шум произведенный активацией линии слова (80, 82, 84, 86) в линию чувства (128) и линию справки (130). Шнуры чувства (20, 22, 24, 26) приготовленные линия слова (80, 82, 84, 86) друг соединены к линии чувства (128) и линии справки (130). Перекрестное соединение уменьшает шум впрыснутое на линиях чувства (128, 130). Перекрестное соединение также балансирует шум созданный активацией линии слова (80, 82, 84, 86) между линией чувства (128) и линией справки (130). Шнур чувства (20, 22, 24, 26) приготовленный линия слова (80, 82, 84, 86) подает сигнал справки. Дифференциальный усилитель (132) вклюает сети для того чтобы сравнить и сохранить разницу между линией чувства (128) и линией справки (130). , котор хранят значение может быть дальнейшими сравненное к второму значению полученному путем обращать течение на линии слова (80, 82, 84, 86).

 
Web www.patentalert.com

< MRAM having two write conductors

< Dual loop sensing scheme for resistive memory elements

> Semiconductor memory having a defective memory cell relieving circuit

> Magnetoresistance effect device

~ 00120