A diode coupling-based arrangement back-biases each of the semiconductor
substrates of a plurality of integrated circuits at the maximum (e.g.,
most negative) DC voltage applied to any individual circuit, irrespective
of a potential variation in applied DC voltages. Each semiconductor
chip/substrate includes an auxiliary terminal to which each DC voltage
terminal for that chip is diode-coupled. The auxiliary voltage terminal is
connected to the underside biasing and thermal dissipation pad of the
substrate. When multiple packages are mounted and conductively joined to a
shared metallic dissipation region of a support substrate, all auxiliary
voltage terminals will be connected in common, so as to back-bias each
semiconductor substrate to the most maximum (e.g., most negative) of all
applied DC voltages.
Une diode accouplement-a basé des en arrière-polarisations chacune d'arrangement des substrats de semi-conducteur d'une pluralité de circuits intégrés à la tension CC De maximum (par exemple, la plupart de négatif) appliquée à n'importe quel circuit individuel, indépendamment d'une variation potentielle des tensions CC Appliquées. Chaque semi-conducteur chip/substrate inclut une borne auxiliaire à laquelle chaque borne de tension CC Pour ce morceau diode-est couplée. La borne auxiliaire de tension est reliée à polariser du dessous et à la garniture thermique de dissipation du substrat. Quand des paquets multiples sont montés et conducteur joints à une région métallique partagée de dissipation d'un substrat de soutien, toutes les bornes auxiliaires de tension seront reliées en commun, en arrière-polarisation chaque substrat de semi-conducteur à la plupart de maximum (par exemple, le plus négatif) de toutes les tensions CC Appliquées.
