A semiconductor device having a novel spacer structure and method of
fabrication. The present invention describes a semiconductor device which
has an electrode with a first thickness. A silicide layer having a second
thickness is formed on the electrode. A sidewall spacer which is formed
adjacent to the electrode has a height which is greater than the sum of
the thickness of the electrode and the thickness of the silicide layer.
Un dispositif de semi-conducteur ayant une structure d'entretoise de roman et une méthode de fabrication. La présente invention décrit un dispositif de semi-conducteur qui a une électrode avec une première épaisseur. Une couche de siliciure ayant une deuxième épaisseur est formée sur l'électrode. Une entretoise de paroi latérale qui est formée à côté de l'électrode a une taille qui est plus grande que la somme de l'épaisseur de l'électrode et de l'épaisseur de la couche de siliciure.
