The present invention relates to a process of fabricating a semiconductor
device, including steps of providing a semiconductor wafer; depositing on
the semiconductor wafer at least one layer comprising a high-K dielectric
material layer; and subsequently removing a selected portion of the at
least one layer comprising a high-K dielectric material by implanting ions
into the selected portion, and removing the selected portion by etching.
As a result of the implantation, the etch rate of the selected portion is
increased relative to an etch rate without the implanting.
La présente invention concerne un processus de fabriquer un dispositif de semi-conducteur, y compris des étapes de fournir une gaufrette de semi-conducteur ; déposant sur la gaufrette de semi-conducteur au moins une couche comportant une haute-K couche matérielle diélectrique ; et plus tard enlevant une partie choisie de l'au moins une couche comportant un haut-K matériel diélectrique en implantant des ions dans la partie choisie, et en enlevant la partie choisie par gravure à l'eau-forte. En raison de l'implantation, du taux gravure à l'eau forte de la partie choisie est augmenté relativement à un taux gravure à l'eau forte sans implantation.
