The tunnel junction structure comprises a p-type tunnel junction layer of a
first semiconductor material, an n-type tunnel junction layer of a second
semiconductor material and a tunnel junction between the tunnel junction
layers. At least one of the semiconductor materials includes gallium (Ga),
arsenic (As) and either nitrogen (N) or antimony (Sb). The probability of
tunneling is significantly increased, and the voltage drop across the
tunnel junction is consequently decreased, by forming the tunnel junction
structure of materials having a reduced difference between the valence
band energy of the material of the p-type tunnel junction layer and the
conduction band energy of the n-type tunnel junction layer.
La struttura della giunzione del traforo contiene un p-tipo strato della giunzione del traforo di un primo materiale a semiconduttore, un n-tipo strato della giunzione del traforo di un secondo materiale a semiconduttore e una giunzione del traforo fra gli strati della giunzione del traforo. Almeno uno dei materiali a semiconduttore include il gallio (Ga), l'arsenico (come) ed azoto (n) o antimonio (Sb). La probabilità di traforo è aumentata significativamente e la differenza de potenziale attraverso la giunzione del traforo conseguentemente è diminuita, formando la struttura della giunzione del traforo dei materiali che hanno una differenza ridotta fra l'energia della fascia di valenza del materiale del p-tipo strato della giunzione del traforo e l'energia della fascia di conduzione del n-tipo strato della giunzione del traforo.
