In a semiconductor device according to the present invention, an n-type
MISFET 12 including a semiconductor substrate 11, a source region 16, a
drain region 17 and a gate electrode 19 is provided. On the semiconductor
substrate 11, a first interlevel insulating film 13 covering the MISFET
12, a second interlevel insulating film 14 and third interlevel insulating
film 15 are provided. On the first interlevel insulating film 13, a first
gate interconnect 25 for electrically connecting a gate electrode 19 and
the outside, a first drain interconnect for electrically connecting the
drain region and the outside are provided so as to face each other with
part of a second interlevel insulating film 14 interposed therebetween.
In un dispositivo a semiconduttore secondo la presente invenzione, un n-tipo MISFET 12 compreso un substrato 11 a semiconduttore, una regione 16 di fonte, una regione 17 dello scolo e un elettrodo di cancello 19 è fornito. Sul substrato 11 a semiconduttore, su una pellicola isolante 13 del primo interlevel coprire il MISFET 12, pellicola isolante isolante 15 del interlevel delle pellicole 14 e terzi su una del seconda interlevel è fornita. Sulla pellicola isolante 13 del primo interlevel, una prima interconnessione 25 del cancello per elettricamente il collegamento un elettrodo di cancello 19 e della parte esterna, una prima interconnessione dello scolo per elettricamente il collegamento la regione dello scolo e della parte esterna sono fornite in modo da affrontarsi con la parte di una pellicola isolante 14 del secondo interlevel interposta therebetween.
