It is an object to obtain an insulated gate semiconductor device with an
unreduced current value capable of being turned off while adopting
structure for reducing the ON voltage, and a manufacturing method thereof.
An N layer (43) is provided in close contact on a surface of an N.sup.-
layer (42), a P base layer (44) is provided in close contact on the
surface of the N layer (43), and a trench (47) which passes at least
through the P base layer (44) is provided, and a gate electrode (49) is
provided in the trench (47) through a gate insulating film (48). The
carrier distribution of the N.sup.- layer (42) becomes closer to the
carrier distribution of a diode, and an ON voltage is decreased and a
current value capable of being turned off is not decreased when turning
off. Accordingly, there are provided an insulated gate semiconductor
device with low power consumption, small size, large capacity and high
reliability.
É um objeto para obter um dispositivo de semicondutor isolado da porta com um valor atual não reduzido capaz de ser desligado ao adotar a estrutura para reduzir SOBRE a tensão, e um método de manufacturing disso. Uma camada de N (43) é fornecida no contato próximo em uma superfície de um N.sup. - mergulhe (42), um P que a camada baixa (44) é fornecida no contato próximo na superfície da camada de N (43), e uma trincheira (47) que as passagens ao menos com a camada baixa de P (44) sejam fornecidas, e um elétrodo de porta (49) é fornecido na trincheira (47) através de uma película isolando da porta (48). A distribuição do portador do N.sup. - a camada (42) torna-se mais perto da distribuição do portador de um diodo, e uma tensão é diminuída SOBRE e um valor atual capaz de ser desligado não é diminuído ao desligar. Conformemente, é fornecido um dispositivo de semicondutor isolado da porta com o consumo de potência baixo, o tamanho pequeno, a capacidade grande e a confiabilidade elevada.
