Disclosed is a solid state imaging device, comprising a unit pixel 101
including a photo diode 111 and a MOS transistor 112 for optical signal
detection provided with a high-density buried layer 25 for storing
optically generated charges generated by light irradiation in the photo
diode 111, a vertical scanning signal driving scanning circuit 102 for
outputting a scanning signal to a gate electrode 19, and a voltage boost
scanning circuit 108 for outputting a boosted voltage higher than a power
source voltage to a source region 16. In this case, a boosted voltage is
applied from the voltage boost scanning circuit 108 to the source region
16, and the optically generated charges stored in the high-density buried
layer 25 are swept out from the high-density buried layer 25 by a source
voltage and a gate voltage risen by the boosted voltage.
Onthuld wordt een weergaveapparaat in vaste toestand, bestaand uit een eenheidspixel 101 met inbegrip van een fotodiode 111 en een MOS transistor 112 voor optisch signaalopsporing die van een high-density begraven laag 25 voor het opslaan van optisch geproduceerde lasten wordt voorzien die door lichte straling in fotodiode 111 worden geproduceerd, een verticale drijf het aftastenkring 102 van het aftastensignaal voor het outputting van een aftasten signaleert aan een poortelektrode 19, en een het aftastenkring 108 van de voltageverhoging voor het outputting van een opgevoerd voltage hoger dan een krachtbronvoltage aan een brongebied 16. In dit geval, wordt een opgevoerd voltage toegepast vanaf het aftastenkring 108 van de voltageverhoging op brongebied 16, en de optisch geproduceerde lasten die in high-density begraven laag 25 worden opgeslagen worden geveegd uit van high-density begraven laag 25 door een bronvoltage en een poortvoltage toegenomen met het opgevoerde voltage.
