A method of operating a static random access memory (SRAM) having a column
clear function by performing write operations using a two step process. To
perform a write, each cell in a row to be written is preset during a first
step. Then, each cell that is to have a zero written to it is cleared
using a column clear operation. A column of cells may be cleared by
enabling all the rows for clearing, then asserting column clear control
signals for each of the columns in the array to be cleared. A subset of
columns of a plurality of rows may be cleared by asserting a plurality of
column clear signals corresponding to the subset of columns and a
plurality of work lines corresponding to the plurality of rows.
Un metodo di funzionamento della memoria di accesso casuale statica (SRAM) che ha una funzione della radura della colonna effettuando scrive i funzionamenti usando un processo di due punti. Per realizzare una scrittura, ogni cellula in una fila da scrivere è prestabilita durante il primo punto. Allora, ogni cellula che deve avere uno zero scritto esso è ha eliminato usando un funzionamento della radura della colonna. Una colonna delle cellule può essere ha eliminato permettendo tutte le file per schiarimento, quindi asserire i segnali di controllo liberi della colonna per ciascuna delle colonne nell'allineamento essere ha eliminato. Un sottoinsieme delle colonne di una pluralità di file può essere ha eliminato asserendo una pluralità di segnali della radura della colonna che corrispondono al sottoinsieme delle colonne e una pluralità di linee del lavoro che corrispondono alla pluralità di file.
