It is an object of the present invention to control the crystal orientation
of a ferroelectric thin film as dictated by the application of a
ferroelectric thin film device. To accomplished the stated object, a
bottom electrode containing at least iridium is formed over a surface
preparation layer whose main component is zirconium oxide, and an
ultra-thin titanium layer is laminated over the bottom electrode. An
amorphous layer containing the elemental metal and elemental oxygen that
constitute the ferroelectric is formed over the titanium layer, and a
crystallized ferroelectric thin film is formed by heat treating this
amorphous layer. If the thickness of the titanium layer is kept between 2
nm and 10 nm in the lamination thereof, the ferroelectric thin film will
have a priority orientation of (100), and if it is kept between 10 nm and
20 nm, the ferroelectric thin film will have a priority orientation of
(111).
C'est un objet de la présente invention pour commander l'orientation en cristal d'une couche mince ferroelectric comme dicté par l'application d'un dispositif ferroelectric de la couche mince. À a accompli l'objet indiqué, une électrode de sole contenant au moins l'iridium est formée au-dessus d'une couche de préparation extérieure dont le composant principal est oxyde de zirconium, et une couche titanique ultra-mince est stratifiée au-dessus de l'électrode de sole. Une couche amorphe contenant le métal élémentaire et l'oxygène élémentaire qui constituent le ferroelectric est formée au-dessus de la couche titanique, et d'une couche mince ferroelectric cristallisée est constituée par la chaleur traitant cette couche amorphe. Si l'épaisseur de la couche titanique est gardée entre 2 nm et 10 nm dans la stratification en, la couche mince ferroelectric aura une orientation prioritaire de (100), et si elle est gardée entre 10 nm et 20 nm, la couche mince ferroelectric aura une orientation prioritaire de (111).
