A metal-oxide-silicon (MOS) device that at least includes a silicon-based
substrate, a nanometer scaled oxide layer formed on the silicon-based
substrate and a metal layer formed on the oxide layer, is disclosed. The
present invention basically uses a nanometer scaled oxide structure that
result in a non-uniform tunneling current to enhance light-emitting
efficiency. The manufacturing steps of the MOS device according to the
present invention are quite similar to those of conventional MOS device,
so the MOS device according to the present invention can be integrated
with the current silicon-based integrated circuit chip. Further the
application fields of the silicon-based chip and material can be extended.
The cost of MOS device can be reduced and its practicality can be
increased.
Un dispositif du métal-oxyde-silicium (MOS) qui inclut au moins un substrat silicium-basé, un nanomètre a mesuré la couche d'oxyde formée sur le substrat silicium-basé et une couche en métal formée sur la couche d'oxyde, est révélée. La présente invention emploie fondamentalement une structure d'oxyde mesurée par nanomètre ce résultat dans un courant non-uniforme de perçage d'un tunnel pour augmenter l'efficacité luminescente. Les étapes de fabrication du dispositif de MOS selon la présente invention sont tout à fait semblables à ceux du dispositif conventionnel de MOS, ainsi le dispositif de MOS selon la présente invention peut être intégré avec le morceau silicium-basé courant de circuit intégré. Plus loin les champs d'application du morceau et du matériel silicium-basés peuvent être prolongés. Le coût du dispositif de MOS peut être réduit et son caractère pratique peut être augmenté.
