Disclosed is a method for detecting electrical defects on test structures
of a semiconductor die. The test structures includes a plurality of
electrically-isolated test structures and a plurality of
non-electrically-isolated test structures. The test structures each has a
portion located partially within a scan area. The portion of the test
structures located within the scan area is scanned to obtain voltage
contrast images of the test structures' portions. In a multi-pixel
processor, the obtained voltage contrast images are analyzed to determine
whether there are defects present within the test structures. In a
preferred embodiment, the multi-pixel processor operates with pixel
resolution sizes in a range of about 25 nm to 200 nm. In another aspect,
the processor operates with a pixel size nominally equivalent to two times
a width of the test structure's line width to maximize throughput at
optimal signal to noise sensitivity. A computer readable medium having
programming instructions for performing the above described methods is
also disclosed.
È rilevato un metodo per la rilevazione dei difetti elettrici sulle strutture della prova di un dado a semiconduttore. Le strutture della prova include una pluralità di strutture elettrico-isolate della prova e una pluralità di strutture non-elettrico-isolate della prova. La prova struttura ciascuno ha una parte posizionata parzialmente all'interno di una zona di esplorazione. La parte delle strutture della prova situate all'interno della zona di esplorazione è esplorata per ottenere le immagini di contrasto di tensione delle parti delle strutture della prova. In un processor del multi-pixel, le immagini ottenute di contrasto di tensione sono analizzate per determinare se ci siano difetti presenti all'interno delle strutture della prova. In un metodo di realizzazione preferito, il processor del multi-pixel funziona con i formati di risoluzione del pixel in una gamma di circa 25 nm a 200 nm. In un'altra funzione, il processor funziona con un equivalente di formato del pixel nominalmente a due volte una larghezza della linea larghezza della struttura della prova elevare il rendimento alla sensibilità ottimale di segnale/disturbo. Un mezzo leggibile dall'elaboratore che ha istruzioni di programmazione per l'effettuazione dei metodi precedentemente descritti inoltre è rilevato.
