The present invention relates to a semiconductor device and a method of
fabricating the same for simplifying a fabrication process of the
semiconductor device and enhancing the performance and yield of the
device. A first metal wiring on a semiconductor substrate serves as a
first electrode of a metal-insulator-metal (MIM) capacitor. A dielectric
film pattern is formed on the first metal wiring. A first via-contact plug
on the dielectric film pattern contacts a side of the first metal wiring.
An interlayer insulation film is formed having second via-contact plugs in
a parallel array structure. The second via-contact plugs contact the
dielectric film pattern and serve as a second electrode of the MIM
capacitor. A second metal wiring is formed on the interlayer insulation
film to contact the first via-contact plug and the second via-contact
plugs.
De onderhavige uitvinding heeft op een halfgeleiderapparaat en een methode om het zelfde te vervaardigen voor het vereenvoudigen van een vervaardigingsproces van het halfgeleiderapparaat en het verbeteren van de prestaties betrekking en opbrengst van het apparaat. Een eerste metaal bedrading op een halfgeleidersubstraat dient als eerste elektrode van metaal-isolatie-metaal (een MIM) condensator. Een diëlektrisch filmpatroon wordt gevormd op de eerste metaal bedrading. Een eerste via-contactstop op het diëlektrische filmpatroon contacteert een kant van de eerste metaal bedrading. Een film van de tussenlaagisolatie wordt gevormd hebbend tweede via-contactstoppen in een parallelle seriestructuur. De tweede via-contactstoppen contacteren het diëlektrische filmpatroon en dienen als tweede elektrode van de MIM condensator. Een tweede metaal bedrading wordt gevormd op de film van de tussenlaagisolatie om de eerste via-contactstop en de tweede via-contactstoppen te contacteren.
