A Schottky rectifier is provided. The Schottky rectifier comprises: (a) a
semiconductor region having first and second opposing faces, with the
semiconductor region comprising a cathode region of first conductivity
type adjacent the first face and a drift region of the first conductivity
type adjacent the second face, and with the drift region having a lower
net doping concentration than that of the cathode region; (b) one or more
trenches extending from the second face into the semiconductor region and
defining one or more mesas within the semiconductor region; (c) an
insulating region adjacent the semiconductor region in lower portions of
the trench; (d) and an anode electrode that is (i) adjacent to and forms a
Schottky rectifying contact with the semiconductor at the second face,
(ii) adjacent to and forms a Schottky rectifying contact with the
semiconductor region within upper portions of the trench and (iii)
adjacent to the insulating region within the lower portions of the trench.
Выпрямитель тока schottky обеспечен. Выпрямитель тока schottky состоит из: (a) зона полупроводника имея сперва и во-вторых сопротивляясь стороны, при зона полупроводника состоя из зоны катода первого типа проводимости смежного первая сторона и зоны смещения первого типа проводимости смежного вторая сторона, и при зона смещения имея концентрацию более низкой сети давая допинг чем та из зоны катода; (b) one or more шанцы удлиняя от второй стороны в зону полупроводника и определяя one or more мезы в пределах зоны полупроводника; (c) изолируя зона смежная зона полупроводника в более низких частях шанца; (d) и электрод анода (i) за и формирует контакт schottky выпрямляя с полупроводником на второй стороне, (ii) за и формах контакт schottky выпрямляя с зоной полупроводника внутри верхние части шанца и (iii) за изолируя зоной внутри более низкие части шанца.
