A process for producing silicon tetrafluoride includes reacting at
250.degree. C. or higher elemental silicon with hydrogen fluoride, thereby
producing a gas product containing silicon tetrafluoride. This reaction
can be conducted such that the gas product contains at least 0.02 volume %
of the unreacted hydrogen fluoride. The process may further include
bringing the gas product into contact with elemental nickel at a
temperature of 600.degree. C. or higher. Alternatively, the process may
further include adding at least 0.1 volume % of hydrogen fluoride to the
gas product to prepare a gas mixture; and bringing the gas mixture into
contact with elemental nickel at a temperature of 400.degree. C. or
higher.
Un procedimento per produrre il tetrafluoride del silicone include la reazione a 250.degree. C. o silicone elementare superiore con il fluoruro dell'idrogeno, quindi producente un prodotto del gas che contiene tetrafluoride del silicone. Questa reazione può essere condotta tali che il prodotto del gas contiene almeno 0.02 volumi % del fluoruro unreacted dell'idrogeno. Il processo può più ulteriormente includere mettere il prodotto del gas in contatto con nichel elementare ad una temperatura di 600.degree. C. o più su. Alternativamente, il processo può più ulteriormente includere la aggiunta almeno dei 0.1 volumi % del fluoruro dell'idrogeno al prodotto del gas per preparare una miscela del gas; e mettendo la miscela del gas in contatto con nichel elementare ad una temperatura di 400.degree. C. o più su.
