The silicon-containing resist compositions which have low silicon
outgassing and high resolution lithographic performance, especially in
bilayer or multilayer lithographic applications using 193 nm or shorter
wavelength imaging radiation are enabled by the presence of an imaging
polymer having silicon-containing, non-acid-labile pendant groups. The
resist compositions of the invention are preferably further characterized
by the substantial absence of silicon-containing acid-labile moieties.
Кремни-soderjat6 сопротивляет составам имеют низкий outgassing кремния и high resolution литографский представление, специально в bilayer или разнослоистые литографские применения использующ 193 nm или более скоро радиация воображения длины волны включены присутсвием полимера воображения имея кремни-soderja5, нон-кислот-labil6nye привесные группы. Составы сопротивлять вымысла предпочтительн дальнейшие, котор характеризует существенное отсутствие кремни-soderja кислот-labil6nyx moieties.
