A method includes providing a wafer having a first grating structure and a
second grating structure formed in a photoresist layer. At least a portion
of the first and second grating structures is illuminated with a light
source. Light reflected from the illuminated portion of the first and
second grating structures is measured to generate a reflection profile.
Misregistration between the first and second grating structures is
determined based on the reflection profile. A processing line includes a
photolithography stepper, a metrology tool, and a controller. The
photolithography stepper is adapted to process wafers in accordance with
an operating recipe. The metrology tool is adapted to receive a wafer
processed in the stepper. The wafer has a first grating structure and a
second grating structure formed in a photoresist layer. The metrology tool
includes a light source, a detector, and a data processing unit.
Μια μέθοδος περιλαμβάνει την παροχή μιας γκοφρέτας που έχει μια πρώτη δομή κιγκλιδωμάτων και μια δεύτερη δομή κιγκλιδωμάτων διαμορφωμένων σε ένα photoresist στρώμα. Τουλάχιστον μια μερίδα των πρώτων και δεύτερων δομών κιγκλιδωμάτων είναι φωτισμένη με μια πηγή φωτός. Το φως που απεικονίζεται από τη φωτισμένη μερίδα των πρώτων και δεύτερων δομών κιγκλιδωμάτων μετριέται για να παραγάγει ένα σχεδιάγραμμα αντανάκλασης. Το Misregistration μεταξύ των πρώτων και δεύτερων δομών κιγκλιδωμάτων καθορίζεται βασισμένος στο σχεδιάγραμμα αντανάκλασης. Μια γραμμή επεξεργασίας περιλαμβάνει stepper φωτολιθογραφίας, ένα εργαλείο μετρολογίας, και έναν ελεγκτή. Stepper φωτολιθογραφίας προσαρμόζεται στις γκοφρέτες διαδικασίας σύμφωνα με μια λειτουργούσα συνταγή. Το εργαλείο μετρολογίας προσαρμόζεται για να λάβει μια γκοφρέτα που υποβάλλεται σε επεξεργασία stepper. Η γκοφρέτα διαμορφώνει μια πρώτη δομή κιγκλιδωμάτων και μια δεύτερη δομή κιγκλιδωμάτων σε ένα photoresist στρώμα. Το εργαλείο μετρολογίας περιλαμβάνει μια πηγή φωτός, έναν ανιχνευτή, και μια μονάδα επεξεργασίας δεδομένων.
