The present invention is directed to a method of forming an FeRAM
integrated circuit, which includes forming a TiAlON bottom electrode
diffusion barrier layer prior to formation of the bottom electrode layer
in an FeRAM capacitor stack. Subsequently, when performing the capacitor
stack etch, the portion of the TiAlON diffusion barrier layer not covered
by the FeRAM capacitor stack is etched substantially anisotropically due
to the oxygen within the TiAlON diffusion barrier layer substantially
preventing a lateral etching thereof. In the above manner, an undercut of
the TiAlON diffusion barrier layer under the FeRAM capacitor stack is
prevented. In another aspect of the invention, a method of forming an
FeRAM capacitor comprises forming a multi-layer bottom electrode diffusion
barrier layer. Such formation comprises forming a TiN layer over the
interlayer dielectric layer and the conductive contact and forming a
diffusion barrier layer thereover. The TiN layer at least partially fills
any seam that exists within the conductive contact, thus improving a
conductivity between the FeRAM capacitor and a conductive contact in the
interlayer dielectric.
La presente invenzione è diretta verso un metodo di formare un circuito integrato di FeRAM, che include formare uno strato della barriera di diffusione dell'elettrodo inferiore di TiAlON prima di formazione dello strato dell'elettrodo inferiore in una pila del condensatore di FeRAM. Successivamente quando effettua incissione all'acquaforte della pila del condensatore, la parte dello strato della barriera di diffusione di TiAlON non coperto dalla pila del condensatore di FeRAM è sostanzialmente anisotropically inciso dovuto l'ossigeno all'interno dello strato della barriera di diffusione di TiAlON che impedisce sostanzialmente acquaforte laterale di ciò. Nel suddetto modo, un taglio dello strato della barriera di diffusione di TiAlON sotto la pila del condensatore di FeRAM è evitato. In un'altra funzione dell'invenzione, un metodo di formare un condensatore di FeRAM contiene formare uno strato a più strati della barriera di diffusione dell'elettrodo inferiore. Tale formazione contiene formare uno strato della latta sopra lo strato dielettrico dello strato intermedio ed il contatto conduttivo e formare un thereover di strato della barriera di diffusione. Lo strato della latta parzialmente riempie almeno tutta la giuntura che esiste all'interno del contatto conduttivo, così migliorando una conducibilità fra il condensatore di FeRAM e un contatto conduttivo nel dielettrico dello strato intermedio.
