A method for correcting line width variation occurring during a development
process in fabricating a photomask and a recording medium in which the
exposure method is recorded is provided, wherein pattern line width
variation occurring in a development process with respect to a desirable
pattern is estimated, and a corrective exposure is performed using a dose
or bias of an electron beam corresponding to the estimated pattern line
width variation. Accordingly, pattern line width variation occurring
during a development process can be reduced.
Um método para corrigir a linha variação da largura que ocorre durante um processo do desenvolvimento em fabricar um photomask e um meio da gravação em que o método da exposição é gravado é fornecido, wherein a linha variação do teste padrão da largura que ocorre em um processo do desenvolvimento com respeito a um teste padrão desejável é estimada, e uma exposição corretiva é executado usando um dose ou uma polarização de um feixe de elétron que corresponde à linha estimada variação do teste padrão da largura. Conformemente, a linha variação do teste padrão da largura que ocorre durante um processo do desenvolvimento pode ser reduzida.
