A supported distributed Bragg reflector or superlattice structure formed
from a substrate, a nucleation layer deposited on the substrate, and an
interlayer deposited on the nucleation layer, followed by deposition of
(Al,Ga,B)N layers or multiple pairs of (Al,Ga,B)N/(Al,Ga,B)N layers, where
the interlayer is a material selected from AlN, Al.sub.x Ga.sub.1-x N, and
AlBN with a thickness of approximately 20 to 1000 angstroms. The
interlayer functions to reduce or eliminate the initial tensile growth
stress, thereby reducing cracking in the structure. Multiple interlayers
utilized in an AlGaN/GaN DBR structure can eliminate cracking and produce
a structure with a reflectivity value greater than 0.99.
Поддержанные распределенные рефлектор Bragg или структура superlattice сформировали от субстрата, слоя нуклеации депозированного на субстрате, и прослойка депозированного на слое нуклеации, последованном за низложением (слои al, Ga, B)N или множественные пары (al, Ga, B)N/(Al, Ga, B)N наслаивает, где прослоек будет материалом выбранным от AlN, Al.sub.x Ga.sub.1-x н, и AlBN с толщиной приблизительно от 20 до 1000 ангстромов. Прослоек действует для уменьшения или для того чтобы исключить первоначально растяжимого усилия роста, таким образом уменьшая трескать в структуре. Множественные прослойки использованные в структуре AlGaN/GaN DBR могут исключить трескать и произвести структуру с значением greater than 0.99 отражательной способности.
