Fabrication of memory cell capacitors in an over/under configuration
facilitates increased capacitance values for a given die area. A pair of
memory cells sharing a bit-line contact include a first capacitor below
the substrate surface. The pair of memory cells further include a second
capacitor such that at least a portion of the second capacitor is
underlying the first capacitor. Such memory cell capacitors can thus have
increased surface area for a given capacitor height versus memory cell
capacitors formed strictly laterally adjacent one another. The memory cell
capacitors can be fabricated using silicon-on-insulator (SOI) techniques.
The memory cell capacitors are useful for a variety of memory arrays,
memory devices and electronic systems.
Η επεξεργασία των πυκνωτών κυττάρων μνήμης σε ένα πλεόνασμα/κάτω από τη διαμόρφωση διευκολύνει τις αυξανόμενες τιμές ικανότητας για μια δεδομένη περιοχή κύβων. Ένα ζευγάρι των κυττάρων μνήμης που μοιράζονται μια επαφή κομμάτι-γραμμών περιλαμβάνει έναν πρώτο πυκνωτή κάτω από την επιφάνεια υποστρωμάτων. Το ζευγάρι των κυττάρων μνήμης περιλαμβάνει περαιτέρω έναν δεύτερο πυκνωτή έτσι ώστε τουλάχιστον μια μερίδα του δεύτερου πυκνωτή κρύβεται κάτω από τον πρώτο πυκνωτή. Τέτοιοι πυκνωτές κυττάρων μνήμης μπορούν έτσι να έχουν αυξήσει την περιοχή επιφάνειας για ένα δεδομένο ύψος πυκνωτών εναντίον των πυκνωτών κυττάρων μνήμης που διαμορφώνονται αυστηρά πλευρικά δίπλα στο ένα άλλος. Οι πυκνωτές κυττάρων μνήμης μπορούν να κατασκευαστούν χρησιμοποιώντας τις τεχνικές πυριτίων επί μονωτικού (SOI). Οι πυκνωτές κυττάρων μνήμης είναι χρήσιμοι για ποικίλα σειρές μνήμης, συσκευές μνήμης και ηλεκτρονικά συστήματα.
