A resin-sealed semiconductor device which comprises a lead frame having a
die bond pad and an inner lead, a semiconductor chip installed on the die
bond pad via a die bonding material and a sealing material for sealing the
semiconductor chip and the lead frame, wherein properties of the die
bonding material and the sealing material after curing satisfies the
following formulae: .sigma.e.ltoreq.0.2.times..sigma.b formula (1)
Ui.gtoreq.2.0.times.10.sup.-6.times..sigma.ei formula (2)
Ud.gtoreq.4.69.times.10.sup.-6.times.ed formula (3) wherein .sigma.b
(MPa)represents the flexural strength at break of the sealing material at
25.degree., Ui (N.multidot.m) and Ud (N.multidot.m) represent shear strain
energies of the sealing material at a soldering temperature for the inner
lead and the die bonding pad, respectively, at a peak temperature during
soldering, where
.sigma.e=(1/log(kd.sub.1)).times.Ee.sub.1.times.(.alpha.m-.alpha.e.sub.
1).times..DELTA.T.sub.1 formula (4),
.sigma.ei=Ee.sub.2.times.(.alpha.e.sub.2 -.alpha.m).times..DELTA.T.sub.2
formula (5), .sigma.ed=log(kd.sub.2).times.Ee.sub.2.times.(.alpha.e.sub.2
-.alpha.m).times..DELTA.T.sub.2 Formula (6), kd.sub.1 : a ratio of the
flexural elastic modulus Ed.sub.1 (MPa) of the die bonding material at
25.degree. to 1 MPa of elastic modulus (Ed.sub.1 >1 MPa), kd.sub.2 : a
ratio of the flexural elastic modulus Ed.sub.2 (MPa) of the die bonding
material at the peak temperature during the soldering to 1 MPa of elastic
modulus (Ed.sub.2 >1 MPa), Ee.sub.1 : a flexural modulus (MPa) of the
sealing material at 25.degree., Ee.sub.2 : a flexural modulus (MPa) of the
sealing material at the peak temperature during soldering, .alpha.e.sub.1
: an average thermal expansion coefficient (1/.degree. C.) of the sealing
material from forming temperature for the semiconductor to room
temperature (25.degree. C.), .alpha.e.sub.2 : an average thermal expansion
coefficient (1/.degree. C.) of the sealing material from the forming
temperature for the semiconductor to a peak temperature during soldering,
.alpha.m: a thermal expansion coefficient (1/.degree. C.) of the lead
frame, .DELTA.T.sub.1 : the difference (.degree. C.) between the forming
temperature for the semiconductor and the low temperature side temperature
in the temperature cycle, and .DELTA.T.sub.2 : the difference (.degree.
C.) between the forming temperature for the semiconductor and the peak
temperature during soldering.
Een hars-verzegeld halfgeleiderapparaat dat uit een loodkader bestaat dat een stootkussen van de matrijzenband en een binnenlood, een halfgeleiderspaander heeft dat op het stootkussen van de matrijzenband via een matrijzenmateriaal plakkend wordt geïnstalleerd en een verzegelend materiaal voor het verzegelen van de halfgeleiderspaander en het loodkader, waarin de eigenschappen van het matrijzenmateriaal plakkend en het verzegelende materiaal na het genezen de volgende formules tevredenstellen: sigma.e.ltoreq.0.2.times..sigma.b de formule Ud.gtoreq.4.69.times.10.sup.-6.times.ed (3) van de formule (1) formule Ui.gtoreq.2.0.times.10.sup.-6.times..sigma.ei (2) waarin sigma.b (MPa)represents de flexural sterkte bij onderbreking van het verzegelende materiaal bij 25.degree., Ui (N.multidot.m) en Ud (N.multidot.m) vertegenwoordigen de energieën van de scheerbeurtspanning van het verzegelende materiaal bij een het solderen temperatuur voor het binnenlood en het matrijzenstootkussen plakkend, respectievelijk, bij een piektemperatuur tijdens het solderen, waar sigma.e=(1/log(kd.sub.1)).times.Ee.sub.1.times.(.alpha.m-.alpha.e.sub. 1).times..DELTA.T.sub.1 formule (4), sigma.ei=Ee.sub.2.times.(.alpha.e.sub.2 -.alpha.m).times..DELTA.T.sub.2 formule (5), sigma.ed=log(kd.sub.2).times.Ee.sub.2.times.(.alpha.e.sub.2 -.alpha.m).times..DELTA.T.sub.2 formule (6), kd.sub.1: een verhouding van de flexural elastische modulus Ed.sub.1 (MPa) van het matrijzenmateriaal plakkend bij 25.degree. aan 1 MPa van elastische modulus (Ed.sub.1 1 MPa), kd.sub.2: een verhouding van de flexural elastische modulus Ed.sub.2 (MPa) van het matrijzenmateriaal plakkend bij de piektemperatuur tijdens het solderen aan 1 MPa van elastische modulus (Ed.sub.2 1 MPa), Ee.sub.1: een flexural modulus (MPa) van het verzegelende materiaal bij 25.degree., Ee.sub.2: een flexural modulus (MPa) van het verzegelende materiaal bij de piektemperatuur tijdens het solderen, alpha.e.sub.1: een gemiddelde thermische uitbreidingscoëfficiënt (1/.degree. C.) van het verzegelende materiaal van het vormen van temperatuur voor de halfgeleider aan kamertemperatuur (25.degree. C.), alpha.e.sub.2: een gemiddelde thermische uitbreidingscoëfficiënt (1/.degree. C.) van het verzegelende materiaal van de vormende temperatuur voor de halfgeleider aan een piektemperatuur tijdens het solderen, alpha.m: een thermische uitbreidingscoëfficiënt (1/.degree. C.) van het loodkader, DELTA.T.sub.1: het verschil (degree. C.) tussen de vormende temperatuur voor de halfgeleider en de lage temperatuur zijtemperatuur in de temperatuurcyclus, en DELTA.T.sub.2: het verschil (degree. C.) tussen de vormende temperatuur voor de halfgeleider en de piektemperatuur tijdens het solderen.
