A magnetic memory cell has a first conductive layer or a first stack of two
or more conductive layers having at least one first magnetic layer with a
first magnetic moment, a second conductive layer or a second stack of two
or more conductive layers having least one second magnetic layer with a
second magnetic moment, and a third non-magnetic layer or a third stack of
two or more non-magnetic layers, that is arranged between and contacting
said first layer or stack and said second layer or stack and allows a
non-tunneling current to pass. Furthermore, the magnetic memory cell
comprises a current control element allowing a current of up to at least a
predetermined writing current amount to pass across the cell in a first
direction perpendicular to the layer planes, and prohibiting a current to
pass across the cell in a second direction opposite to said first
direction, unless the current amount in the second direction is higher
than a predetermined reading current amount, which reading current amount
is lower than said writing amount. The extensions of said layers or stacks
in a direction perpendicular to the layer planes, as well as the materials
of said layers or stacks are adapted to allow a change of an orientation
of said first and second magnetic moments relative to each other with the
aid of a current of at least said writing current amount, and to influence
a current amount across the cell of at most said reading current amount by
a giant magnetoresistance effect.
Una célula de memoria magnética tiene una primera capa conductora o un primer apilado de capas dos o más conductores que tienen por lo menos una primera capa magnética con un primer momento magnético, una segunda capa conductora o un segundo apilado de capas dos o más conductores que tienen menos capa magnética de un segundo con un segundo momento magnético, y una tercera capa no magnética o un tercer apilado de capas dos o más no magnéticos, que se arregla en medio y entrando en contacto con la primera capa dicha o apilado y segunda capa dicha o apilado y permite que una corriente el no-hacer un tu'nel pase. Además, la célula de memoria magnética abarca un elemento actual del control permitiendo que una corriente hasta por lo menos de una cantidad predeterminada de la corriente de escritura pase a través de la célula en un primer perpendicular de la dirección a los planos de la capa, y prohibiendo una corriente al paso a través de la célula en una segunda dirección opuesta a la primera dirección dicha, a menos que la cantidad actual en la segunda dirección sea más alta que una cantidad actual de lectura predeterminada, que la cantidad actual de la lectura es más baja que dicha escribiendo cantidad. Las extensiones de las capas dichas o de los apilados en un perpendicular de la dirección a los planos de la capa, tan bien como los materiales de las capas dichas o de los apilados son adaptadas para permitir un cambio de una orientación del primera dicho y de los momentos en segundo lugar magnéticos en relación con con la ayuda de una corriente por lo menos de la cantidad dicha de la corriente de escritura, y para influenciar una cantidad actual a través de la célula en de la mayoría de la cantidad actual de la lectura dicha por un efecto gigante de la magnetorresistencia.
