A method for the sublimation growth of an SiC single crystal, involving
heating up under growth pressure, is described. In the method for the
sublimation growth of the SiC single crystal, a crucible holding a stock
of solid SiC and an SiC seed crystal, onto which the SiC single crystal
grows, is evacuated during a starting phase which precedes the actual
growth phase and is then filled with an inert gas, until a growth pressure
is reached in the crucible. Moreover, the crucible is initially heated to
an intermediate temperature and then, in a heat-up phase, is heated to a
growth temperature at a heat-up rate of at most 20.degree. C./min. As a
result, controlled seeding on the SiC seed crystal is achieved even during
the heat-up phase.
Описан метод для роста сублимации кристалла SiC одиночного, включая нагревать вверх под давление роста. В методе для роста сублимации кристалла SiC одиночного, тигель держа шток твердого SiC и кристалла семени SiC, на который кристалл SiC одиночный растет, эвакуирован во время начиная участка который предшествует фактический участок роста и после этого заполнен с инертным газом, до тех пор пока давление роста не достигнуть в тигле. Сверх того, тигель первоначально нагрет к промежуточной температуре и после этого, в участке heat-up, нагрет к температуре роста на тарифе heat-up на большинств 20.degree. C./min. В результате, controlled осеменять на кристалле семени SiC достиган даже во время участка heat-up.
