Radio communication apparatus and semiconductor device

   
   

A radio communication apparatus including at the transmitter-side output stage a high-frequency power amplifier module that has incorporated therein a single-stage amplifier using one multi-finger type heterojunction bipolar transistor (HBT) or a multi-stage amplifier using a plurality of HBTs sequentially connected in cascade, and at the output end an antenna connected to the high-frequency power amplifier module, wherein first capacitors and first resistors are inserted in series between the input terminal of the high-frequency power amplifier module and the control fingers of the HBT, and second resistors are inserted between the control terminal of the high-frequency power amplifier module and the control fingers of the HBT and connected to the nodes of the first resistors and the first capacitors.

Ein Funkverbindungapparat, der an der Übermittler-Seite einschließt, gab Stadium ein Hochfrequenzendverstärkermodul aus, das, das darin einen einstufigen Verstärker mit einer Multifinger Art zweipoliger Transistor des Heterojunction (HBT) enthalten hat oder ein mehrstufiger Verstärker mit einer Mehrzahl von HBTs der Reihe nach angeschlossen in der Kaskade, und am Ausgang Ende schloß eine Antenne an das Hochfrequenzendverstärkermodul an, worin erste Kondensatoren und erste Widerstände in der Reihe zwischen dem Eingang Anschluß des Hochfrequenzendverstärkermoduls und die Steuerfinger des HBT eingesetzt werden und zweite Widerstände zwischen dem Steueranschluß des Hochfrequenzendverstärkermoduls und den Steuerfingern des HBT eingesetzt werden und angeschlossen an die Nullpunkte der ersten Widerstände und die ersten Kondensatoren.

 
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