The specification describes a pattern transfer technique for forming
patterns of thin films of high resolution over large areas. It involves
forming a pattern layer on a transfer substrate, patterning the pattern
layer while on the transfer substrate, then contacting the transfer
substrate with the receiving substrate. The surface of the receiving
substrate is treated to activate the surface thereby improving adhesion of
the transfer pattern to the receiving substrate. The activation treatment
involves forming a layer of metal particles on the surface of the
receiving substrate. The pattern layer is preferably of the same metal, or
a similar metal or alloy, and is transferred from the transfer substrate
to the receiving substrate by metallurgical bonding.
The method of the invention is particularly useful for printing metal
conductor patterns (metalization), and device features, on flexible
polymer substrates in, for example, thin film transistor (TFT) technology.
Спецификация описывает метод перехода картины для формировать картины тонких пленок high resolution над большими областями. Она включает сформировать слой картины на субстрате перехода, делая по образцу слой картины пока на субстрате перехода, тогда контактируя субстрат перехода с получая субстратом. Поверхность получая субстрата обработана для того чтобы активировать поверхность таким образом улучшая прилипание картины перехода к получая субстрату. Обработка активации включает сформировать слой частиц металла на поверхности получая субстрата. Слой картины предпочтительн такого же металла, или подобных металла или сплава, и возвращен от субстрата перехода к получая субстрату металлургическим bonding. Метод вымысла определенно полезн для печатать картины проводника металла (metalization), и приспособление отличает, на гибких субстратах полимера внутри, например, технология транзистора тонкой пленки (TFT).
