The method provides a temperature controlled environment for processing
semiconductor wafers at elevated temperatures. A hot wall process chamber
is used for the process steps. The process chamber includes three zones
with independent temperature control capabilities. The method may include
rotating the wafers in addition to providing a gas flow velocity gradient
above the wafer for improved temperature and processing uniformity
results.
La méthode fournit un environnement commandé par température pour traiter des gaufrettes de semi-conducteur aux températures élevées. Une chambre chaude de processus de mur est employée pour les étapes de processus. La chambre de processus inclut trois zones avec des possibilités indépendantes de commande de température. La méthode peut inclure tourner les gaufrettes en plus de fournir un gradient de vitesse d'écoulement de gaz au-dessus de la gaufrette pour la température améliorée et de traiter des résultats d'uniformité.
